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磁屏蔽的生產(chǎn)技術(shù)
一種好的磁屏蔽設(shè)計(jì)要涉及到加工過程，其可提供所需要的結(jié)構(gòu)和特性。在過去，大部分磁屏蔽體是用標(biāo)準(zhǔn)的精密片狀金屬加工技術(shù)通過剪切、穿孔、成型和焊接加工出來的。而自2012年開始，利用先進(jìn)的激光切割系統(tǒng)，個別部件的剪切和計(jì)算機(jī)化的數(shù)字控制沖孔都由一步激光切割技術(shù)所代替。主要的屏蔽元件的一步加工技術(shù)可使加工時間更快和降低加工成本，而無須高成本的加工方法。特別是對于型材和特殊設(shè)備（比如專用切割和系列
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電磁鐵優(yōu)點(diǎn)及分類
電磁鐵優(yōu)點(diǎn)及分類優(yōu)點(diǎn)電磁鐵有許多優(yōu)點(diǎn)：電磁鐵的磁性有無可以用通、斷電流控制；磁性的大小可以用電流的強(qiáng)弱或線圈的匝數(shù)多少來控制；也可通過改變電阻控制電流大小來控制磁性大??；它的磁極可以由改變電流的方向來控制，等等。即：磁性的強(qiáng)弱可以改變、磁性的有無可以控制、磁極的方向可以改變，磁性可因電流的消失而消失。電磁鐵是電流磁效應(yīng)（電生磁）的一個應(yīng)用，與生活聯(lián)系緊密，如電磁繼電器、電磁起重機(jī)、磁懸浮列車、電子
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什么是磁感應(yīng)強(qiáng)度?
磁感應(yīng)強(qiáng)度是用來描述磁場性質(zhì)的物理量，用B表示。磁場中某點(diǎn)的B的方向是該點(diǎn)的磁場方向，B的大小表示該點(diǎn)磁場強(qiáng)度的強(qiáng)弱。在SI單位制（國際單位制）中，磁感應(yīng)強(qiáng)度的單位是[伏特?秒/米2]，而[伏特]?[秒]稱為韋伯，所以磁感應(yīng)強(qiáng)度的單位稱為[韋伯/米2]或[特斯拉]，簡稱[特]。在CGSM單位制中，磁感應(yīng)強(qiáng)度的單位是[高斯]。單位用符號表示：V為[伏特]、s為[秒]、m為[米]、Wb為[韋伯]、T為
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汽車鑰匙磁場檢測用三維亥姆霍茲線圈
Helmholtz線圈方案與報(bào)價一、 汽車鑰匙磁場檢測用三維亥姆霍茲線圈參數(shù)說明：三維等徑線圈，可產(chǎn)生125KHz交流低弱磁場，適用于汽車遙控鑰匙的檢測。三個維度線圈直徑相等，線圈常數(shù)一致，適合產(chǎn)線使用；線圈骨架無磁無金屬。1、 型號：3HLDY15-12、 平均半徑：15cm3、 均勻區(qū)球體：Φ70mm4、 均勻度：1*10-25、 單包匝數(shù)7匝6、 線圈分為X軸、Y軸和Z軸，三維直徑相等7、
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磁通計(jì)的測試原理及分類
磁通計(jì)是測量磁通（量）的一種磁測量儀器。用于空間磁場的測量和材料的磁性研究。磁通計(jì)是在測量線圈內(nèi)磁通變化時，根據(jù)可動框架的偏轉(zhuǎn)程度來確定磁通量的磁場測量儀器。磁通計(jì)是在測量線圈內(nèi)磁通變化時，根據(jù)可動框架的偏轉(zhuǎn)程度來確定磁通量的磁場測量儀器。在測量線圈和磁通計(jì)的可動框架繞組構(gòu)成的閉合回路中，當(dāng)測量線圈內(nèi)磁通Φ變化時，有感應(yīng)電流通過框架繞組，促使框架產(chǎn)生一定偏度α，Φ和α成正比，磁通量(Wb)為Φ=
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磁通量為什么有正負(fù)?
磁通量的標(biāo)量有正負(fù)之分。磁通量的正負(fù)不代表大小，只反映磁通量是怎么穿過某一平面的，若規(guī)定向里穿過某一平面的磁通量為正，則向外為負(fù)。尤其在計(jì)算磁通量變化時更應(yīng)注意。 例1、在磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場中，面積為S的線圈垂直磁場方向放置，若將此線圈翻轉(zhuǎn)180度，那么穿過此線圈的磁通量的變化量是多少？解析：由于線圈發(fā)生了翻轉(zhuǎn)，穿過線圈平面的磁通量情況相反。若規(guī)定開始時穿過線圈的磁通量為正，則線圈翻轉(zhuǎn)180
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如何選擇磁通計(jì)測試線圈
很多客戶在選用磁通計(jì)測量磁性材料時往往會遇到線圈選型的問題。因?yàn)榇磐ㄓ?jì)要配合線圈才能測量磁體的磁通量。線圈可以是單體線圈，固定Ｂ線圈，或者也可以配亥姆霍茲線圈。1.關(guān)于單體線圈可以自己繞線在樣品上面，或者自己制一個比樣品大一點(diǎn)的套具，把樣品放里面拉出來測試；2.配固定B線圈測試，基本上每種樣品規(guī)格要配一個規(guī)格的測試線圈。3.配亥姆霍茲線圈來測試，一個亥姆霍茲線圈可以測量一定范圍內(nèi)尺寸大小的樣品(就
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砷化鎵霍爾器件
霍爾器件系磁電轉(zhuǎn)換器件，是半導(dǎo)體磁傳感器中*成熟、產(chǎn)量*大的產(chǎn)品，而砷化鎵霍爾器件更是其中的佼佼者。其原理是針對砷化鎵《GaAs》材料的特點(diǎn)，應(yīng)用高能量離子注入方法和新型工藝技術(shù)制造的霍爾器件。不但提高了器件的抗靜電擊穿能力、線性度和成品率，而且大幅降低了生產(chǎn)成本，使砷化鎵霍爾器件在性價比及功能方面均優(yōu)于傳統(tǒng)的銻化銦和硅霍爾器件，是霍爾器件新一代替代產(chǎn)品。從性能上看，GaAs霍爾器件有著InSb霍
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